Примеры решения задач ⇐ ПредыдущаяСтр 4 из 4
Пример 12. 1. В пространстве, наполовину заполненном парафином (ε2=2), создано однородное электрическое поле, напряжённость которого в вакууме Е1=4В/м. Вектор Дано: ε2=2; Е1=4В/м; α=60º; ε1=1. Найти: 1) D2; 2) Е2; 3) Р2.
Связь между нормальной и тангенциальной составляющими векторов Dn=ε0εEn и Dτ=ε0εEτ (1)
Еτ1=Eτ2; Dn1= Dn2 (2) а нормальная составляющая вектора
что схематически изображено на рисунках. Из формулы (3), учитывая, что ε1=1, получим Еτ1=ε2En2 и Из рисунка б, с учётом формул (1) и (4), следует, что В вакууме (см.рис. б) Dn1= D1sinα=ε0E1sinα, Dτ2= D1cosα=ε0E1cosα. Тогда искомое электрическое смещение в парафине Из рисунка а, с учётом формул (1) и (4), следует, что В вакууме (см.рис. а) Еn1= Е1sinα; Еτ1= Е1cosα. Тогда искомая напряжённость электростатического поля в парафине Поляризованность откуда следует, что вектор P2=D2-ε0E2 Ответ: 1) D2=46 пКл/м2; 2) Е2=2,6 В/м; 3) Р2=23 пКл/м2. Пример 12. 2. Между обкладками плоского конденсатора, заряженного до разности потенциалов 1,5кВ, зажата парафиновая пластинка (ε=2) толщиной 5 мм. Определите поверхностную плотность связанных зарядов на парафине., Дано: U=1,5кВ=1,5∙103В; ε=2; d=5мм=5∙10-3м. Найти: σ'. Решение. Векторы
где σ'=D- ε0Е. Учитывая, что D= ε0Е и σ'= ε0(ε-1)Е= ε0(ε-1) Ответ: σ' =2,65 мкКл/м2.
Пример 12. 3. Плоский конденсатор, между обкладками которого находится стеклянная пластинка (ε=7)толщиной d=3мм, заряжен до разности потенциалов U=500В. Определите: 1) поверхностную плотность σ зарядов на обкладках конденсатора; 2) поверхностную плотность σ' связанных зарядов на стекле. Величиной зазора между пластинкой и обкладками пренебречь. Дано: ε=7; d=3мм=3∙10-3м; U=500 В; Найти: 1) σ; 2) σ' Решение. Напряжённость поля внутри конденсатора при наличии диэлектрика между его обкладками
С другой стороны, напряжённость электрического поля внутри конденсатора
Приравняв (1) и (2), получим искомую поверхность плотность зарядов на обкладках конденсатора
Поверхностная плотность σ' связанных зарядов равна поляризованности Р: σ'=Р. Поляризованность диэлектрика Р и напряжённости Е электростатического поля связаны соотношением Р=χ ε0Е, где χ- диэлектрическая восприимчивость диэлектрика, связанная с диэлектрической проницаемостью соотношением: ε=1+ χ. Тогда, учитывая формулу (2), получим искомую поверхностную плотность зарядов: σ' =P= χ ε0Е= ε0(ε-1)Е =ε0(ε-1) Ответ:1) σ =10,3 мкКл; 2) σ' =8,85 мкКл
Пример 12. 4. Расстояние между обкладками плоского конденсатора d =1мм. После зарядки конденсатора до разности потенциалов U=700В между обкладками вставили стеклянную пластинку (ε=7). Определите: 1) диэлектрическую восприимчивость χ стекла; 2) поверхностную плотность σ' связанных зарядов на стеклянной пластинке. Дано: d=1мм=1∙10-3м; U=700 В; ε=7. Найти: 1) χ; 2) σ' Решение. Связь диэлектрической проницаемости ε и диэлектрической восприимчивость χ ε=1+ χ откуда искомая χ= ε -1 Напряжённость поля внутри конденсатора после его зарядки
А после того, как в конденсатор вставили диэлектрик,
[учли формулу (1)]. Поверхностная плотность связанных зарядов σ' равна поляризованности Р: σ'=Р. Связь между поляризованности диэлектрика и напряжённости электростатического поля Р=χε0Е Тогда искомая поверхностная плотность связанных зарядов Ответ: 1) χ =6; 2) σ'=5,31 мкКл/м2.
©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.
|